光电子微纳制造工艺平台

光电子微纳制造工艺平台

武汉光电国家实验室(筹)公共实验平台——光电子微纳制造工艺平台位于光电国家实验室E区,始建于2005年9月。2006年6月起,随着工艺及测试设备的搬入和调试,平台开始投入使用。平台使用总面积约1900多平方米,净化等级最高为5级(百级),最低为8级(十万级);其中百级间136平方米、千级间439平方米、万级间639平方米、十万级间463平方米。平台建有完善的动力、净化空调及气体保障系统。目前,共有设备135台(套),其中主设备36台(套),辅助设备99台(套),利用“985工程”二期建设资金所购设备总值近一亿元,拥有“金属有机化学气相沉积系统(MOCVD)”2台、“电子束光刻系统(EBL)”、 “感应耦合离子刻蚀机(ICP-RIE)2台、“低压化学气相沉积(LPCVD)”、“等离子体增强化学气相沉积(PECVD)”、“磁控溅射机”等多台大型工艺设备,另有“微区Raman/PL系统”、“高分辨率X射线衍射仪”、“光学椭偏仪”等10台测试设备;平台可开展光电子材料与器件的制作及检测工作。平台现有14位工艺工程师、动力工程师对设备进行日常管理、操作和维护。


 

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负责人:夏金松   卢宏

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