光电论坛

清华大学帅志刚院士做客第116期光电论坛

来源:武汉光电国家实验室(筹)    作者:    发布时间:2016年12月09日

2016年12月7日上午10:00-12:00,清华大学帅志刚院士做客第116期光电论坛,为广大师生作了题为“光电材料中的输运理论与计算”的精彩报告。

在本次报告中,帅志刚院士主要介绍有机半导体材料中电子行为的局域电荷量子核隧穿模型。有机半导体材料作为一种新型的光电材料,其中的电子运动备受各界人员的关注。无机半导体中适用的能带理论并不能很好的解释有机半导体材料中的电子传输,而热激活的经典跳跃理论也不能解释在有机半导体材料中,电子的迁移率随温度的升高而降低的现象。帅志刚院士课题组开创性的提出了局域电荷量子核隧穿模型,他们认为在有机半导体材料中,原子核的量子行为可以协助电子的穿过势垒,从而实现在低能量热激活情况下的电子隧穿。该模型计算结果与实际有机半导体的电子迁移率相近,成功的解释了有机半导体材料中的电子传输问题。该理论模型现如今得到了越来越多的实验认可,有望成为有机电子学的一个新概念。

帅志刚院士是清华大学化学系长江学者特聘教授,国际量子分子科学院院士,比利时皇家科学院外籍院士。1983年获中山大学学士,1989年获复旦大学物理系理论物理专业博士,导师是孙鑫院士。1990年至2001年任比利时蒙斯大学博士后和高级研究员。2002年至2008年,担任中国科学院化学研究所研究员。2008年5月至今,任清华大学教授。2004年获杰出青年科学基金。2012年获中国化学会-阿克苏诺贝尔化学科学奖。担任Journal of Materials Chemistry A 副主编。 帅志刚院士共发表论文320余篇,被引用11000余次,h因子59。

华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)韩宏伟教授主持本期论坛,光电国家实验室(筹)党委书记夏松为帅志刚院士颁发了“武汉光电论坛”纪念盘,来自光电国家实验室和院系的师生倾听了本次报告。


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